スパッタリング（またはスパッタ）（sputtering）

スパッタリング（sputtering）とは、アルゴンなどのイオン衝撃により、陰極（金属や化合物）の表面から原子や分子が飛散する現象を利用した成膜法です。

陰極と対向した陽極との間に1Pa程度のアルゴンガスと高電圧を印加し、発生したグロー放電で生成されたイオンにより陰極材料（ターゲット）がスパッタされ、基板上に薄膜が堆積されます。

スパッタ方式には、DC、RF、多極、ECRなどがあります。電極近傍の電場と直交する磁場を発生させるためマグネットや電磁石を設置し、電子密度の高い空間を作り出すことで、低温・高速成膜が可能なマグネトロン方式が広く用いられています。この方法はDC、AC、RF放電でも使用可能です。

また、アルゴンに活性ガスを添加し、ガスとターゲット原子の混合物・化合物薄膜を得るリアクティブスパッタ法もあります。