プラズマ CVD（plasma CVD）

プラズマ CVD（plasma CVD）とは、プラズマで反応性ガスを励起し、化学反応を促進して非晶質の薄膜を堆積させる方法です。

低温（200~450℃）で堆積でき、ステップカバレジ（段差被覆性：基板の表面にある微細な段差部（蒸発源に対して垂直方向の面）に成膜した時の、膜の被覆状態。）が良く、大面積化に対応できる特長があります。

この方法は、太陽電池や薄膜デバイスの非晶質シリコンとして、電極、配線材料、シリコン窒化物、酸化物などの絶縁薄膜を得るために使用されます。