反応性スパッタエッチング（reactive sputter etching）

反応性スパッタエッチング（reactive sputter etching）という技術は、微細なパターンを形成するための半導体製造プロセスにおいて重要な役割を果たしています。反応性ガス雰囲気のグロー放電中に試料を置き、活性化原子（ラジカル）との化学反応や高速イオン（数eV数百eV）によるスパッタリング反応で試料を加工する方法です。

この方法はリアクティブイオンエッチング（RIE）法とも呼ばれ、半導体素子のサブミクロンパターンを高異方性で加工できます。電極間が5～10 mmのナローギャップ法やマグネトロン放電を利用した有磁場RIE法も利用されています。