分子線エピタキシャル法（MBE: molecular beam epitaxy）

分子線エピタキシャル法（MBE: molecular beam epitaxy）とは、半導体の結晶成長に使われる手法の一つです。

超高真空中で加熱した結晶基板上に、複数の蒸発源から分子（原子）線を蒸発させ、元素固有の付着係数の差を利用し、化学量論（化学反応における量的関係に関する理論）的組成比を保ちながら薄膜を成長させる方法です。

原子層レベルでの制御が可能です。この方法は化合物半導体の結晶成長や機能性材料の研究開発に利用されますが、生産性が低いのが欠点です。