RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。
カソード1基と用途を限定し様々な膜種に対応したコストパフォーマンスにすぐれた装置です。
特長
- 省スペースな絶縁膜、半導体材料、金属材料のスパッタリング装置です
- φ80㎜ｘ1基のカソードによる単層成膜が可能です
- メインポンプに油拡散ポンプを使用しています
- コンベンショナルスパッタでスパッタ速度20nm/min（SiO2）が得られます
仕様
ユーティリティ
真空装置設計・製作についての
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