RF電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。
カソード1基と用途を限定し様々な膜種に対応したコストパフォーマンスにすぐれた装置です。
特長
- 省スペースな絶縁膜、半導体材料、金属材料のスパッタリング装置です
- 基板加熱機構搭載（350℃）を搭載し2インチ×3基のカソードによる3層多層成膜が可能です
- メインポンプにターボ分子ポンプを使用しています
- マグネトロンスパッタでスパッタ速度30nm/min（SiO2）が得られます
仕様
ユーティリティ
真空装置設計・製作についての
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